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HiPIMS高能脈沖濺射電源

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濺射電源

關(guān)鍵詞： HiPIMS高能脈沖濺射電源

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024-24533636

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產(chǎn)品描述

SI－HP3000 型系列 HiPSTER 高能脈沖濺射電源，是一款專為 HiPIMS 磁控濺射鍍膜工藝以及納米顆粒生成工藝而開(kāi)發(fā)的高壓脈沖等離子體電源。本電源采用 IGBT 斬波技術(shù)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)， ARM 單片機(jī)做整機(jī)控制,帶觸屏的液晶顯示器作為人機(jī)交互部件的新型電源產(chǎn)品。微電腦控制技術(shù)的應(yīng)用使系統(tǒng)的保護(hù)更加完善，輸出功率更加穩(wěn)定。全新設(shè)計(jì)的散熱系統(tǒng)，使得 IGBT 的工作溫度大大降低、工作壽命更長(zhǎng)更穩(wěn)定，并可長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作。由于采用了觸屏和 TFT 彩色液晶顯示器，再輔以適當(dāng)?shù)能浖?，所以控制更靈活，人機(jī)交互界面更友好，使用更方便。
　
HP3000 電源用于激勵(lì)各種等離子體裝置，例如： PVD 設(shè)備、磁控濺射設(shè)備
本電源具有如下功能：
● 恒定脈沖電流、恒定放電量控制；
● 高精度控制，可達(dá) 0.5%+1 字；
● 單脈沖高速 ARC 放電檢測(cè)與控制，穩(wěn)定濺射過(guò)程。
● 數(shù)據(jù)顯示采用帶觸摸屏的液晶顯示器，顯示控制直觀方便精度高。
● 多種多重智能保護(hù)及故障檢測(cè)功能，運(yùn)行可靠性高；維護(hù)方便。
● RS232 及 RS485 通訊接口,可實(shí)現(xiàn)全功能遙控與遙測(cè)（選裝）；
● 全新的散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)，本電源在不堵塞散熱孔的前提下可連續(xù)工作。
● 體積小重量輕。最大外形尺寸 483 x 89 x 300 全機(jī)僅 3.2kg；
　
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
HiPIMS 磁控濺射是一種采用高壓脈沖電源的高功率密度等離體磁控濺射系統(tǒng)，此種濺射工藝，能夠極大的增加等離子體密度和強(qiáng)度，從而使濺射速率更高、膜層更致密、附著度更強(qiáng)；由于濺射能級(jí)更高所以能夠?yàn)R射普通電源不能濺射的高濺射能級(jí)材料。主要應(yīng)用工藝如下：
● 堅(jiān)硬膜層：通過(guò)反應(yīng)濺射形成更光滑、致密的膜層，達(dá)到增加表面硬度的目的。使鍍膜后的物件更加耐磨、耐腐蝕、降低摩擦系數(shù)。
● 光學(xué)膜層：由于具有更高的濺射動(dòng)能，所以膜層表面更光滑、更致密，所以能夠更好的改善光學(xué)性能。
● 擴(kuò)散膜層：采用 HiPIMS 工藝能夠形成更高的膜層密度，確保有效的屏蔽效果。
● 電氣膜層：由于膜層致密度高所以可以改善膜層導(dǎo)電性，以至可以減小膜層厚度的降低熱損耗，同時(shí)也可以提高絕緣性能。
● 3D 膜層：更高的濺射動(dòng)能，能夠在復(fù)雜形狀表面形成均勻的膜層。
　
技術(shù)指標(biāo)
供電電源要求： AC220V（±10%） / 50Hz；
運(yùn)行模式：限制峰值電流、限制放電電量控制；
輸出頻率設(shè)定范圍： 50~2000Hz（±0.1%）；
輸出脈沖寬度范圍： 3.5~1000.0uS（±0.1%）；
最大允許輸出功率： 3000W。
充電電源功率： 1000、2000、3000W （訂貨時(shí)可選擇）；
充電電源最高電壓： 1000V
脈沖峰值電流檢測(cè)范圍： 5~300A；
脈沖電流上升率檢測(cè)范圍： 1~60A/uS
脈沖放電量檢測(cè)范圍： 5~5000uC；
功率控制精度： 0.5%+1 字；
顯示器：觸摸屏 + 4.3 彩色液晶顯示器；
計(jì)算機(jī)接口： RS-232/485 接口/Modbus 協(xié)議；
最大外形尺寸：主機(jī) 483 x 89 x 300mm
重量：主機(jī) 3.2kg
使用溫度： 1 0-40℃ (電源/顯示器)
濕度范圍： 5%-85%RH.，不結(jié)露